エッチング加工

半導体、MEMS基板加工に不可欠な技術です。

ガラス工芸などの分野にも用いられますが、Drｙ、Wetの2つのプロセスが確立されており、様々な材料のパターニングが可能です。


ドライプロセス

　反応性ガスを使いイオンを高速でぶつける事によりエッチングを行います。

Deeｐ-RIE

  • Deep-RIEによるTSV用微細穴加工
  • ボッシュプロセスによる高速加工
  • 高アスペクト加工が可能

イオンミリング


  • 各種メタル膜対応可能

RIE-平行平板

  • 酸化膜、窒化膜のエッチング

ウエットプロセス

溶液中での化学反応を利用してエッチングを行います。

 

※各種の薬液を取り揃えております。


単結晶シリコン異方性エッチング

V溝、角溝


単結晶シリコン等方性エッチング


メタル薄膜エッチング

各種メタル対応可能（Ni、Pt、Cu、Ti、Cr、Al、W、Au、Ag、Ta等）


ガラスエッチング