成膜加工

当社では成膜加工の手法として、スパッタ、真空蒸着、イオンプレーティングなどの各種PVDから、TEOS膜に代表されるCVDまで豊富な成膜方法から最適な手法を提案致します。

特にスパッタに関しては豊富なターゲットを取り揃えており、2元同時、同一真空内で3層積層。小型機から大型機までニーズに合わせた装置選択が可能です。（ターゲット一覧はこちら）

基板サイズは小片から12インチまで投入可能です。

CMP用に各種ブランケットウェハの作製も可能です。

（TiN膜、Cu膜、PE-TEOS、PE-SiN等）

• 膜を形成する粒子のエネルギーが大きく、付着力の強い膜の形成が可能
• 合金や化合物の組成比をほぼ保ったまま成膜が可能
• 高融点のターゲットでも成膜が可能
• 時間制御だけで高精度の膜厚制御が可能
• 反応性ガスによる酸化物、窒化物の成膜が可能
• 基板加熱可能（300℃）
• フィルムへの成膜が可能
• 豊富なターゲット（ターゲット一覧はこちら）

スパッタについて解説したページ「スパッタとは？」も御覧ください。