半導体めっき加工
WLP（Wafer Level Package）への再配線・バンプめっきサービス
各ウェハサイズへ対応いたします。
Cuピラー、半田バンプ、低融点バンプ、各種のバンプを
承ります。少数、小ロット、短納期対応でアシストします。
各プロセスの一例
| NO. | 加工プロセス | 加工仕様範囲 |
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1
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シード層形成
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Ti＋Cu成膜 |
| 2 |
回路形成 （レジストリソグラフィー） |
レジスト種：ポジ、ネガ型 最大L&S : 100μm時 厚さ：100μm 最小L&S : 10μm時 厚さ：10μm |
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3 |
回路形成 （電解Cuメッキ） |
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| 4 |
レジスト・シード層剥離 |
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| 5 | 絶縁樹脂形成 |
絶縁樹脂：ポリイミド、フェノール系等 最大径 : Φ250μm時 厚さ：20μm 最小径 : Φ10μm時 厚さ：5μm |
| 6 |
シード層形成 |
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| 7 |
ポスト形成 （レジストリソグラフィー） |
レジスト種：ポジ、ネガ型 最大径 : Φ250μm時 厚さ：150μm 最小径 : Φ10μm時 厚さ：10μm |
| 8 |
Cu ポストメッキ |
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| 9 |
Niバリアメッキ
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厚み：2µm～ |
| 10 |
SnAgメッキ |
厚み：3µm～ ※その他SnBi、Inめっきも承ります |
| 11 |
レジスト・シード層剥離
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| 12 |
フラックス塗布 |
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| 13 |
リフロー処理
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ウェハ専用リフロー装置対応 |
| 14 |
洗浄
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様式図 |
