パターニング加工
当社では、半導体素子、MEMS構造、めっき、エッチング（Deep-RIE、Dry＆Wet）用のレジストパターニングの手法としてアライナー、ステッパー、EBでの露光・現像が可能です。
ポジ型、ネガ型、ドライフィルム、薄膜、厚膜用各種レジストを所有しております。ポリイミドのパターニングも可能です。
アライナー
- 3インチ～12インチ対応可能
- 等倍コンタクト露光
- リフトオフ用逆テーパーパターン
- 裏面アライメント
- レジスト以外にも低応力絶縁樹脂もパターニングも可能
ステッパー
- i線、KrF、液浸対応可能
- 4～12インチ対応可能（3インチ以下は別途ご相談）
- i線ステッパーは1shot44㎜角の高スループット
高アスペクトレジスト、厚膜レジスト形成
- 高アスペクト比対応レジスト（配線形成用）
- 厚膜レジスト（Cuピラー用）
- その他Ni電鋳用高アスペクト比レジストも取り扱い中
レーザー直描
- 基板サイズ610㎜×510㎜まで対応可能
- アライメント（赤色、緑色、赤外の3種）可能
- 高スループット
- 直描の為マスク不要
- L&S8μm
EB（直接描画）
- 80nm以下のパターニングが可能
